Electrical Specifications
Table 2.2 Operating Conditions
MR256D08B
3.0 
Parameter
Core Power supply voltage
I/O Power supply voltage
Write inhibit voltage
Write inhibit voltage
Input high voltage (V DDQ =1.65-2.2V)
Input high voltage (V DDQ =2.2-2.7V)
Input high voltage (V DDQ =2.7-3.6V)
Input low voltage (V DDQ =1.65-2.2V)
Input low voltage (V DDQ =2.2-2.7V)
Input low voltage (V DDQ =2.7-3.6V)
Temperature under bias
Symbol
V DD
V DDQ
V WIDD
V WIDDQ
V IH
V IH
V IH
V IL
V IL
V IL
T A
Min
i
1.65 i
2.5
1.2
1.4
1.8
2.2
-0.2  iii
-0.2  iii
-0.2  iii
0
Typical
3.3
-
2.7
1.4
-
-
-
-
-
-
Max
3.6
3.6
3.0  i
1.65 i
V DDQ  + 0.2  ii
V DDQ  + 0.2  ii
V DDQ  + 0.2  ii
0.4
0.6
0.8
70
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
V DDQ ≤ V DD .  Write inhibit occurs when either V DD   or    V DDQ  drops below its write inhibit voltage.   There is a 2 ms startup time once 
V IH (max) = V DDQ  + 0.2 V DC ; V IH (max) = V DDQ  + 0.5 V AC (pulse width ≤ 20 ns) for I ≤ 20.0 mA.
  V IL (min) = -0.2 V DC ; V IL (min) = -2.0 V AC (pulse width ≤ 20 ns) for I ≤ 20.0 mA.
V DD  exceeds V DD (min).   See  Power Up and Power Down Sequencing .
ii 
iii
Everspin Technologies       ? 2011
5
MR256D08B Rev. 3, 12/2011
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MR25B-100R-F 制造商:RF 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 100 OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK 制造商:RF Electronics Inc. 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 100 OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK
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